دستهبندی: قطعات و تجهیزات الکترونیکی
حافظه SRAM پرسرعت سامسونگ 1 مگابیتی 128K×8 مدل K6R1008V1D-TC10
K6R1008V1D-TC10
توضیحات
| حافظه K6R1008V1D-TC10 ساخت Samsung یک SRAM پرسرعت 1 مگابیتی با ساختار 128K×8، ولتاژ کاری 3.3 ولت و زمان دسترسی حداکثر 10 نانوثانیه است. این حافظه در پکیج SMD نوع TSOP II با 32 پایه عرضه میشود و به دلیل عملکرد Fully Static، بدون نیاز به کلاک و Refresh، برای سیستمهای پردازش دیجیتال پرسرعت، تجهیزات مخابراتی، DSP، FPGA و مدارهای حافظه موقت مناسب است. |
نظرات
دستهبندی: قطعات و تجهیزات الکترونیکی