دستهبندی: قطعات و تجهیزات الکترونیکی
ماسفت دوبل کانال N مدل SiA906EDJ-T1-GE3 ولتاژ 20V جریان 4.5A
SiA906EDJ-T1-GE3 Dual N-Channel 20V 4.5A TrenchFET MOSFET PowerPAK SC-70-6
برند:Vishay Siliconix
هر قسط با ترب‌پی:
۴ قسط ماهانه. بدون سود، چک و ضامن.
شناسه کالا SiA906EDJ-T1-GE3
توضیحات
SiA906EDJ-T1-GE3 یک ماسفت قدرت دوبل N-Channel از سری TrenchFET شرکت Vishay Siliconix است که دو MOSFET کانال N را در یک پکیج بسیار کوچک PowerPAK SC-70 جای داده است. این قطعه برای ولتاژ Drain-Source تا 20V و جریان پیوسته تا 4.5A طراحی شده و به دلیل مقاومت روشن پایین، برای سوئیچینگ توان در مدارهای فشرده و قابل‌حمل مناسب است.
ویژگی‌ها و مشخصات فنی
| مشخصه | مقدار |
|---|---|
| Part Number | SiA906EDJ-T1-GE3 |
| ساختار | Dual N-Channel MOSFET |
| تکنولوژی | TrenchFET® |
| VDS | 20V |
| ID Continuous | 4.5A |
| ID Pulsed | 15A |
| VGS Max | ±12V |
| RDS(on) Max @ 4.5V | 46mΩ |
| RDS(on) Max @ 2.5V | 63mΩ |
| VGS(th) Max | 1.4V |
| Qg Typical @ 4.5V | 3.5nC |
| Ciss | 350pF |
| توان تلفاتی Max | 7.8W در شرایط مشخص‌شده دیتاشیت |
| دمای کاری Junction | −55 تا +150°C |
| ESD Protection | حدود 560V typical |
| Package | PowerPAK SC-70-6L Dual |
| Mounting | SMD/SMT |
| RoHS / Halogen Free | بله |
| Marking Code رسمی | CC |
کاربردها
کاربرد اصلی SiA906EDJ-T1-GE3 در Load Switch تجهیزات قابل‌حمل، مبدل‌های DC/DC فرکانس بالا، مدیریت و سوئیچینگ خطوط تغذیه، مدارهای باتری، تجهیزات کوچک با محدودیت فضای PCB و مدارهای سوئیچینگ با نیاز به RDS(on) پایین است.
نظرات
دستهبندی: قطعات و تجهیزات الکترونیکی